產(chǎn)品名稱:標(biāo)準(zhǔn)參考物質(zhì) NIST SRM 2137 - 硅中硼植入深度剖面濃度校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)
英文名稱:Boron Implant in Silicon Standard for Calibration of Concentration in a Depth Profile
品牌:美國NIST標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)
產(chǎn)品編號(hào) | 規(guī)格 | 貨期 | 銷售價(jià) | 您的折扣價(jià) |
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SRM 2137 | each | 4周 | 23760 | 立即咨詢 |
NIST SRM 2137硅中硼植入深度剖面濃度校準(zhǔn)(標(biāo)準(zhǔn)品)旨在用于通過二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對(duì)硅基質(zhì)中微量和痕量硼的二次離子響應(yīng)。 SRM 2137 的一個(gè)單元由一個(gè)單晶硅襯底組成,其表面通過硅離子注入而變得無序。襯底被離子注入同位素10B,標(biāo)稱能量為50 keV。 SRM 2137 已通過中子深度剖析獲得 10B 原子保留劑量的認(rèn)證。劑量以每單位面積 10B 質(zhì)量為單位表示。 SIMS 提供了關(guān)于 10B 原子濃度隨地表以下深度變化的未經(jīng)認(rèn)證的信息。
認(rèn)證值和不確定度:
10B 原子的總保留劑量通過稱為中子深度剖析的中子反應(yīng)方法確定,使用沉積在硅上的金屬 10B 校準(zhǔn)參考膜作為標(biāo)準(zhǔn)。所述不確定度是 95% 的覆蓋率,95% 的置信度容差區(qū)間,包括隨機(jī)測(cè)量誤差、材料變異性估計(jì)和系統(tǒng)不確定性。假設(shè)由于注入過程中的空間變化,SRM 單元之間的實(shí)際保留劑量可能會(huì)有所不同。由認(rèn)證值定義的區(qū)間及其相關(guān)不確定性涵蓋了至少 95% 的 SRM 單位中的真實(shí) 10B 劑量,置信度為 95%。
認(rèn)證到期:
NIST SRM 2137硅中硼植入深度剖面濃度校準(zhǔn)(標(biāo)準(zhǔn)品) 的認(rèn)證在規(guī)定的不確定性范圍內(nèi)無限期有效,前提是按照本證書中給出的說明處理和儲(chǔ)存 SRM(參見“處理、儲(chǔ)存和使用說明”)。因此,不需要定期重新校準(zhǔn)或重新認(rèn)證此 SRM。如果 SRM 損壞、污染或以其他方式修改,則認(rèn)證無效。